鍍膜機產(chǎn)品及廠家
小型蒸發(fā)鍍膜儀，實驗室氣相沉積設(shè)備用于真空蒸發(fā)鍍光學(xué)薄膜、有機物薄膜和金屬薄膜、在襯底上沉積各單層金屬 膜，主要用于蒸鍍電及有機半導(dǎo)體材料的物理化學(xué)性能研究實驗研究 。特別適合于高科技企業(yè)、科研單位和高校用于膜層研究和膜系開發(fā)。
更新時間:2025-09-06
全自動熱蒸發(fā)鍍碳儀蒸碳儀噴碳儀鍍膜儀 納米碳膜實驗室儀器優(yōu)勢看得見：1. 7英寸彩色觸摸屏，全數(shù)字顯示，直觀清晰；2. 具備脈沖加熱和連續(xù)加熱兩種工作模式，適用各種不同的樣品；3. 自動檢測每根碳繩的狀態(tài)，并在鍍膜過程中自動切換；4. 每根碳繩使用會進(jìn)行自動除氣，確保碳膜的純凈度；5. 操作非常簡單，多只需設(shè)置兩個參數(shù)即可；
更新時間:2025-09-05
英國oxford vacuum 電子束蒸發(fā)鍍膜機vapour station 4,是一款微納器件樣品制備系統(tǒng)，為有機無機多源有氣相分子沉積系統(tǒng)，高真空條件下，通過加熱材料的方法，在襯底上沉積各 種化合物、混合物單層或多層膜，具有高真空多源有機、金屬電阻蒸發(fā)及手 套箱保護(hù)條件下器件后期制作，主要用于有機半導(dǎo)體材料的物理化學(xué)性能，研究實驗、有機半導(dǎo)體器件的原理研究實驗也可用于普通金屬電蒸發(fā)鍍膜究。
更新時間:2025-09-05
法國plassys微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) ssdr 150 ，門用于合成 cvd 金剛石薄膜，能夠制備高純單晶(需高純氣源）、厚單晶、大單晶、多晶薄膜、光學(xué)窗口。ssdr150 不斷優(yōu)化的微波及等離子體設(shè)計，是一款可靠的、穩(wěn)定的、長時間運行的金剛石薄膜生長系統(tǒng)，能夠完美地適用于高校科研和企業(yè)生產(chǎn)。
更新時間:2025-09-05
英國hhv桌上型濺射鍍膜儀bt150和bt300,新系列小型桌上系統(tǒng)，觸摸屏顯示控制，適合于sem及tem電鏡樣品制備及常規(guī)科研的全功能系統(tǒng)。
更新時間:2025-09-05
日立hitachi 離子濺射儀 mc1000,采用lcd觸摸屏，可以更加簡便地設(shè)定加工條件,可處理較厚或較大的樣品(選配件),記憶功能可存儲常用加工條件.
更新時間:2025-09-05
美國neocera pld 脈沖激光沉積系統(tǒng) p180 , 一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結(jié)構(gòu)和納米粒子合成的方法. ped 脈沖電子束沉積系統(tǒng) ped-180,是高能脈沖 (100ns) 電子束 ( 約 1000 a,15 kev) 在靶材上穿透將近 1 um，使靶材快速蒸發(fā)形成等離子體。對靶材的非平衡提取（燒灼）使等離子體的組成與靶材的化學(xué)計量組成一致。在最佳條件下，靶材的化學(xué)計量與沉積
更新時間:2025-09-05
美國denton vacuum 金/碳鍍膜機,用于大型工業(yè)生產(chǎn)、科研開發(fā)和小規(guī)模制造。
更新時間:2025-09-05
極域真空鍍膜系統(tǒng)以“真空性能”與“全域工藝覆蓋”為內(nèi)核，成為半導(dǎo)體、光學(xué)、新能源等制造領(lǐng)域的標(biāo)桿設(shè)備，助力客戶突破鍍膜技術(shù)瓶頸，實現(xiàn)“高精度、高效率、高回報”的智造升級。
更新時間:2025-09-05
小型蒸發(fā)鍍膜儀，實驗室氣相沉積設(shè)備用于真空蒸發(fā)鍍光學(xué)薄膜、有機物薄膜和金屬薄膜、在襯底上沉積各單層金屬 膜，主要用于蒸鍍電及有機半導(dǎo)體材料的物理化學(xué)性能研究實驗研究 。特別適合于高科技企業(yè)、科研單位和高校用于膜層研究和膜系開發(fā)。
更新時間:2025-09-05
貝富克風(fēng)機2hb730-ah26 貝富克高壓風(fēng)機，大風(fēng)量 高壓力。風(fēng)量420立方壓力-260/310mpar高壓、大風(fēng)量、低噪音、輕量化 采用鋁合金材質(zhì)，大幅降低重量，達(dá)到輕量化的目的。 馬達(dá)為i.e.c設(shè)計（1hp以上），全閉外扇形鋁框馬達(dá)，特殊軸設(shè)計，可適合長時間使用。 特殊葉片設(shè)計，壓力大、風(fēng)量大、低噪音、壽命長
更新時間:2025-09-02
大風(fēng)量風(fēng)機 2xb730-h37風(fēng)帕克風(fēng)機 4kw 380v 風(fēng)量每小時420立方 -260/310mpar高壓、大風(fēng)量、低噪音、輕量化 采用鋁合金材質(zhì)，大幅降低重量，達(dá)到輕量化的目的。 馬達(dá)為i.e.c設(shè)計（1hp以上），全閉外扇形鋁框馬達(dá)，特殊軸設(shè)計，可適合長時間使用。 特殊葉片設(shè)計，壓力大、風(fēng)量大、低噪音、壽命長
更新時間:2025-09-02
除濕設(shè)備風(fēng)機 2xb910-h07貝富克風(fēng)機 高壓力大風(fēng)量 適用于切紙機、卷煙濾嘴成型機、電鍍槽液攪拌、霧化干燥機、水處理曝氣、絲網(wǎng)印刷機、照相制版機、注塑機自動上料烘干機、液體灌裝機、電焊設(shè)備、電影機械、紙張運送、干洗衣服、清洗、空氣除塵、干瓶、氣體傳送、送料、收集等方面。
更新時間:2025-09-02
六源有機無機聯(lián)合蒸發(fā)鍍膜設(shè)備適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜、有機薄膜等，可用于科研單位進(jìn)行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗工作。opv系列真空蒸發(fā)鍍膜與手套箱聯(lián)合系統(tǒng)的用戶群體為科研院所及實驗室，將真空蒸發(fā)系統(tǒng)工作室置于glove box無水、無氧、無塵的超純環(huán)境中，pvd與glove box硬件無縫對接，操控融合一體，廣泛應(yīng)用于有機、無機、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、oled等研究領(lǐng)域。
更新時間:2025-08-30
歐尼卡onick am-38帶彩信版野生動物紅外監(jiān)測相機支持3000萬像素高清拍照，4k高清視頻拍攝。儀器啟動反應(yīng)快，成像清晰，色彩真實。大可支持256gb sd存儲卡，兼容各種品牌。可搭載我司自主研發(fā)的云平臺圖像處理系統(tǒng)（軟著登記號：2022sr0370995），對抓拍到的圖片及視頻進(jìn)行識別與分析，還可搭配手機app遠(yuǎn)程控制相機（軟著登記號：2022sr0370994），遠(yuǎn)程控制修改參數(shù)，
更新時間:2025-08-26
上海到漢中物流公司 從上海貨運到漢中需要多少錢？貨運公司哪家好?推薦漢中物流400-697-cc，兢兢業(yè)業(yè)，風(fēng)雨無阻，公司專業(yè)承接；
更新時間:2025-08-19
上海伯東代理剝離成形電子束設(shè)備可以準(zhǔn)確的控制蒸發(fā)速度, 因此薄膜厚度和均勻度皆小于 ±3％, 客制化的基板尺寸, 大直徑可達(dá) 12寸晶圓, 腔體的限真空度約為 10-8 torr.
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 射頻離子源 rficp 140 是一款緊湊的有柵離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 rficp 140 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 就標(biāo)準(zhǔn)的型號而言, 可以在離子能
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理 syskey 臺灣矽碁科技超高真空電子束蒸鍍設(shè)備腔體限真空度約為 10-10torr, 針對超高真空和高溫加熱設(shè)計基板旋轉(zhuǎn)鍍膜機構(gòu), 使用陶瓷培林旋轉(zhuǎn), 并在內(nèi)部做水冷循環(huán)來保護(hù)機構(gòu)以確保長時間運轉(zhuǎn)的穩(wěn)定性, 可以提供高質(zhì)量的薄膜, 薄膜均勻度小于 ±3％.
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 射頻離子源 rficp 220 高能量柵離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 rficp 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)配置下射頻離子源 rficp 220 離子能量范圍
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理 syskey 臺灣矽碁科技電子束蒸鍍設(shè)備是一種實用且高度可靠的系統(tǒng), 蒸鍍系統(tǒng)可針對量產(chǎn)使用單一坩堝也可以有多個坩堝來達(dá)到產(chǎn)品多層膜結(jié)構(gòu). 在基板乘載上針對半導(dǎo)體研究和大型設(shè)備設(shè)計, 單片和多片公自轉(zhuǎn)的設(shè)計可以控制蒸發(fā)速率, 薄膜厚度和均勻度小于 +/- 3％. 腔體的限真空度約為 10-8 torr. 為了獲得盡可能大的制程靈活性, 可以結(jié)合美國 kri 離子源進(jìn)行離子輔助沉積或
更新時間:2025-08-18
上海伯東美國 kri 大口徑射頻離子源 rficp 380, 3層?xùn)旁O(shè)計, 柵口徑 38cm, 提供離子動能 100-1200ev 寬束離子束, 大離子束流 > 1000ma, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應(yīng)用. 廣泛應(yīng)用于離子束刻蝕機.
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設(shè)備 uhv sputter 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽能電池,科研等行業(yè), 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理原子層沉積設(shè)備可以精準(zhǔn)的控制 ald 的制程, 薄膜的厚度和均勻度皆小于 +/- 1％, 廣泛應(yīng)用于 oled 和硅太陽能電池的鈍化層, 微機電系統(tǒng), 納米電子學(xué), 納米孔結(jié)構(gòu)薄膜, 光學(xué)薄膜, 薄膜封裝技術(shù)等域.
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 霍爾離子源 eh 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eh 1000 所有的性能, 低成本設(shè)計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 射頻離子源 rficp 40 : 目 kri 射頻離子源 rficp 系列尺寸小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內(nèi). 離子源 rficp 40 設(shè)計采用創(chuàng)新的柵技術(shù)用于研發(fā)和開發(fā)應(yīng)用. 離子源 rficp 40 無需電離燈絲設(shè)計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業(yè)應(yīng)用. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 rficp 40 離子能量范圍 100 至 1200ev,
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 霍爾離子源 eh 400 低成本設(shè)計提供高離子電流, 霍爾離子源 eh 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
更新時間:2025-08-18
美國 kri 霍爾離子源 eh 系列緊湊設(shè)計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eh 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù).
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri 考夫曼型離子源 rficp 100 緊湊設(shè)計, 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設(shè)計但是可以輸出 >400 ma 離子流. 考夫曼型離子源 rficp 100 源直徑19cm 安裝在10”cf 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學(xué)配合, 蝕刻更均勻. 標(biāo)準(zhǔn)配
更新時間:2025-08-18
上海伯東代理的磁控共濺鍍腔提供了準(zhǔn)確控制多個磁控濺鍍的制程條件, 加裝美國 kri 離子源為客戶提供更好質(zhì)量的復(fù)合式薄膜.單片和多片式的loading chamber, 可節(jié)省其制程腔體的抽氣時間, 進(jìn)而節(jié)省整體實驗時間. 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽能電池等行業(yè)以及氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
更新時間:2025-08-18
leica em ace600是優(yōu)良的多用途高真空薄膜沉積系統(tǒng)，設(shè)計來根據(jù)您的fe-sem和tem應(yīng)用的需要生產(chǎn)非常薄的，細(xì)粒度的和導(dǎo)電的金屬和碳涂層，用于高分辨率分析。
更新時間:2025-08-15
運行平穩(wěn)無抖動，液面無振動，可保證設(shè)備的穩(wěn)定性以及成膜的均勻性。 · 自主研發(fā)的程序控制系統(tǒng)，簡潔明了、操作方便。
更新時間:2025-08-15
本產(chǎn)品是根據(jù)國標(biāo)gb/t21719-2008《稻整精米率檢驗法》*新研制，是制定國家稻谷標(biāo)準(zhǔn)中整精米率數(shù)據(jù)的*指定儀器。
更新時間:2025-08-15
jc503-eb100提拉鍍膜機是一款基本型提拉鍍膜機，可自動完成在鍍膜溶液中多次鍍膜之需求，重復(fù)鍍膜次數(shù)可達(dá)999次。所有運行參數(shù)如運行速度，提拉/浸漬高度，浸漬時間，間隔時間，重復(fù)鍍膜次數(shù)等均可在觸屏上方便設(shè)置。
更新時間:2025-08-15
xf803-931浸漬提拉鍍膜機是適用于溶膠-凝膠法（sol--gel法，簡稱sg法）制備薄膜的浸漬提拉法的一款高精度儀器。核心部件采用進(jìn)口配件，精準(zhǔn)控制提拉速度，多次重復(fù)鍍膜無位置偏差。提拉速度、提拉高度、浸漬時間、循環(huán)鍍膜次數(shù)、下降速度、停留時間均可以通過程序精確控制。適用于玻璃、si（100）、si（111）、藍(lán)寶石（al2o3）、瓷片以及樹脂基板等常用基板。
更新時間:2025-08-15
縱向式cat-cvd設(shè)備ccv系列ccv series是a-si鍍膜用的縱向式cvd設(shè)備。有30年以上的量產(chǎn)實績。在各個chamber通過低壓鍍膜，得到高品質(zhì)的膜質(zhì)。
更新時間:2025-08-13
枚葉式pecvd設(shè)備cme-200e/400枚葉式pe-cvd設(shè)備cme-200e/400是適用于si系絕緣膜、barrier膜等成膜的量產(chǎn)用pecvd設(shè)備。
更新時間:2025-08-13
load-lock式plasma cvd設(shè)備 cc-200/400load-lock式plasma cvd設(shè)備cc-200/400是小型的使用便利的可對應(yīng)從研究開發(fā)到量產(chǎn)的設(shè)備。
更新時間:2025-08-13
枚葉式等離子cvd設(shè)備cmd系列cmd系列是用sih4和teos成膜的a-si膜、氧化硅膜、氮化膜成膜用的枚葉式cvd設(shè)備。
更新時間:2025-08-13
技術(shù)參數(shù)：l自動的換氣與泄氣功能，可以得到一致的膜厚，和佳的導(dǎo)電噴鍍效果。l通過高效低壓直流磁控頭進(jìn)行冷態(tài)精細(xì)的噴鍍過程，避免樣品表面受損。
更新時間:2025-08-13
比利時almeco鼓風(fēng)機，德國總部直接采購，原裝，貨期，支持技術(shù)選型，為您提供一對一優(yōu)勢解決方案：赫爾納大連公司在中國設(shè)有10個辦事處，可為您提供的維修服務(wù)。
更新時間:2025-08-13
緊湊型、模塊化和智能化ccu-010為一款結(jié)構(gòu)緊湊、全自動型的離子濺射和/或蒸發(fā)鍍碳設(shè)備，使用非常簡便。采用獨特的插入式設(shè)計，通過簡單地變換鍍膜頭就可輕松配置為濺射或蒸鍍設(shè)備。在鍍膜之和/或之后，可以進(jìn)行等離子處理。模塊化設(shè)計可輕松避免金屬和碳沉積之間的交叉污染。ccu-010標(biāo)配膜厚監(jiān)測裝置。
更新時間:2025-08-05
緊湊型、模塊化和智能化ccu-010為一款結(jié)構(gòu)緊湊、全自動型的離子濺射和/或蒸發(fā)鍍碳設(shè)備，使用非常簡便。采用獨特的插入式設(shè)計，通過簡單地變換鍍膜頭就可輕松配置為濺射或蒸鍍設(shè)備。在鍍膜之和/或之后，可以進(jìn)行等離子處理。模塊化設(shè)計可輕松避免金屬和碳沉積之間的交叉污染。ccu-010標(biāo)配膜厚監(jiān)測裝置。
更新時間:2025-08-05
最新產(chǎn)品
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