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ZY-TrrMOSFET參數(shù)測(cè)試設(shè)備

mosfet參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括igss / bvr / vds（sat） / idss / vgsth / vf / rds（on））；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)

更新時(shí)間:2025-05-06

該公司產(chǎn)品分類：西安智盈電氣科技有限公司

ZY-Trr雪崩能量測(cè)試臺(tái)

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介雪崩能量測(cè)試臺(tái)，是門設(shè)計(jì)測(cè)試igbt、二管、mos管測(cè)試設(shè)備，對(duì)于那些在應(yīng)用過(guò)程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的

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ZY-TrrIGBT7KV/20000A動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

一. 功能簡(jiǎn)介全動(dòng)態(tài)測(cè)試的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了

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ZY-TrrIGBT9KA/8KV靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的用測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門電阻8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)9)合格證標(biāo)簽打印10)夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具

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