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探測(cè)器產(chǎn)品及廠家

ZD01,ZD02,ZD03氣體探測(cè)器;氣體報(bào)警器;氣體探頭;氣體變送器

氣體探測(cè)器;氣體報(bào)警器;氣體探頭;氣體變送器

更新時(shí)間:2025-09-10

該公司產(chǎn)品分類：上海市兆度電子有限公司

ZD01,ZD02,ZD03,ZD06氣體探測(cè)器報(bào)警器變送器探頭

氣體探測(cè)器報(bào)警器探頭

更新時(shí)間:2025-09-10

該公司產(chǎn)品分類：上海市兆度電子有限公司

ZD01,ZD02,ZD03,ZD06氣體探測(cè)器報(bào)警器探頭

北京、沈陽、濟(jì)南、成都、西安、廣州、武漢、青島專區(qū)氣體探測(cè)器報(bào)警器探頭

更新時(shí)間:2025-09-10

該公司產(chǎn)品分類：上海市兆度電子有限公司

十萬瓦水冷熱電堆功率探頭

可以測(cè)量激光的功率，單發(fā)脈沖能量，可以測(cè)量激光光束位置和光斑尺寸。

更新時(shí)間:2025-09-10

該公司產(chǎn)品分類：先鋒科技（香港）股份有限公司

MPRT面板運(yùn)動(dòng)圖像響應(yīng)時(shí)間測(cè)試系統(tǒng)

mprt（moving picture response time）運(yùn)動(dòng)圖像響應(yīng)時(shí)間測(cè)試是為平板顯示器、手機(jī)顯示屏、液晶顯示器等運(yùn)動(dòng)圖像模糊邊緣時(shí)間、模糊邊緣寬度的測(cè)量。系統(tǒng)檢測(cè)方式采用idms標(biāo)準(zhǔn)的c方法：相機(jī)線性追蹤.

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該公司產(chǎn)品分類：先鋒科技（香港）股份有限公司

QPDElFys 黑硅探測(cè)器

elfys的高性能四象限探測(cè)器是建立在公司在黑硅技術(shù)上的專業(yè)性。開創(chuàng)性的方法允許得到近乎理想的從uv到nir波段的外部量子效率，使其實(shí)際上每個(gè)入射光子都能被探測(cè)到并轉(zhuǎn)換為可測(cè)量的信號(hào)。

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PB2X系列PB2X系列硫化鉛探測(cè)器（波長(zhǎng)1-3um）

硫化鉛探測(cè)器的靈敏度比硒化鉛探測(cè)器高出一個(gè)數(shù)量級(jí)以上; 但是，時(shí)間常數(shù)更長(zhǎng)。pbs探測(cè)器是一種光電探測(cè)器，可對(duì)入射的紅外輻射做出反應(yīng)并改變其電阻。其特別適用于需要大面積探測(cè)器的應(yīng)用，因?yàn)樗鼈儽韧?ingaas 探測(cè)器便宜得多。lc公司的典型芯片尺寸為 2 mmx2 mm，也可根據(jù)要求定制。

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CMOS X射線相機(jī)CMOS平板探測(cè)器

cmos x射線相機(jī)由單個(gè)半導(dǎo)體硅片制成，可直接探測(cè)可見光或配合閃爍晶體用于探測(cè)x光和其它高能輻射。針對(duì)不同應(yīng)用，可配備不同厚度gadox或針狀csi閃爍體，是醫(yī)學(xué)診斷，工業(yè)檢測(cè)，科學(xué)成像的理想解決方案，標(biāo)準(zhǔn)能量測(cè)試范圍為不超過220kv，根據(jù)客戶要求，能量可到400kv，采用camera link接口，全分辨率下最高可到65幀/秒

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VITUS系列VITUS系列SDD探測(cè)器

硅漂移x射線sdd探測(cè)器ketek 是的sdd 探測(cè)器生產(chǎn)商，其生產(chǎn)的sdd 探測(cè)器廣泛的應(yīng)用于分析儀器制備，科學(xué)研究以及宇宙探索等諸多領(lǐng)域。按照產(chǎn)品的功能分類，ketek 的探測(cè)器分為，vitus，viamp，axas-a，axas-d，axas-m 五個(gè)系列。

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338系列快速波長(zhǎng)計(jì)

bristol公司新推出338系列快速波長(zhǎng)計(jì)，能夠同時(shí)測(cè)量連續(xù)和調(diào)制信號(hào)，高精度可達(dá)±0.3pm.25hz的快速而又確的測(cè)量，為您的光收發(fā)器研發(fā)和生產(chǎn)保駕護(hù)航。實(shí)惠的價(jià)格加上五年的質(zhì)保期，可確保您最低的擁有成本。

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單點(diǎn)Andor單點(diǎn)探測(cè)器

除ccd 及ingaas 陣列探測(cè)器以外，andor 提供大量單點(diǎn)探測(cè)器配合shamrock 系列光譜儀使用，以便擴(kuò)展光譜儀的應(yīng)用方式和波段范圍：? pmt 探測(cè)器，185 - 900nm? 半導(dǎo)體探測(cè)器 200 - 1100nm? ingaas 單點(diǎn)探測(cè)器 800 - 1900nm? pbs 探測(cè)器 800 - 2900nm

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