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BJ2988A BJ2988A 晶體管測試儀|美達

BJ2988A 晶體管正偏二次擊穿及瞬態熱阻測試儀

晶體管的極限參數

晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的，當其超過額定值時，輕則影響晶體管的工作性能，嚴重時將使其損壞。以下介紹晶體管的主要極限參數。1.集電極最大允許耗散功率PcmPcm是指晶體管因溫度升高引起參數的變化不超過規定值時，集電極所消耗的最大功率。晶體管在正常工作時，集電結加的是反向偏置電壓，集電結的反向電阻很高，這樣，集電極電流流過集電結時就要產生大量的熱量，結溫就會升高，若溫度過高，將導致晶體管不可逆轉的損壞。人們根據晶體管允許結溫定出最大允許耗散功率。為了降低結溫，對于大功率晶體管，人們往往要另設散熱片，散熱片表面積越大，散熱效果越好，晶體管的Pcm就可以適當提高。2.集電極最大允許電流Icm 集電極電流增大，會導致晶體管的電流放大倍數β下降，當β降至低頻電流放大倍數βo的額定倍數（通常規定為二分之一或三分之一）時，此時的集電極電流稱為集電極最大允許電流Icm。因此，當晶體管的集電極電流達到Icm時，晶體管雖不致損壞，但電流放大倍數已大幅度下降。 3.集電極－－發射極擊穿電壓BVCEOBVCEO是指晶體管基極開路時，加在晶體管集電極與發射極之間的最大允許電壓。對于NPN型晶體管而言，集電極接電源的正極，發射極接電源的負極；對于PNP型晶體管而言，集電極接電源的負極，發射極接電源的正極。當加在晶體管集電極與發射極之間的電壓大于BVCEO的值時，流過晶體管的電流會突然增大，導致晶體管性損壞，這種現象稱為擊穿。

產品特點：

BJ2988A型晶體管正偏二次擊穿及瞬態熱阻測試儀可以同時進行瞬態熱阻及正偏二次擊穿的一次性檢測。兩種參數放在同一臺儀器上檢測是為了滿足軍用功率晶體管實際檢測的需要，是軍用功率晶體管最快速篩選測試（用幾十分鐘的參數測試取代168小時滿功率老化）及貫徹國軍標所必需的測試儀器。這種參數測試儀不但解決了測試中的燒管問題，也可直接進行正偏二次擊穿功率的檢測。本儀器的配套電源為本廠生產的WD-9型晶體管穩壓電源。

BJ2988A 晶體管正偏二次擊穿及瞬態熱阻測試儀技術指標：

（1）測試功率：0~750W（2）集電極—發射極電壓VCE：0~300V±2%（3）發射極電流IE：0~5A ±2%（4） M數字表：0~ —4.00mV / ℃ ±3%（5） △VBE數字表：0~999 mV ±3%（6）脈寬τ：1mS~1000S（分七檔）脈寬擴展：τ×1、τ×2、τ×5

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圖示儀晶體管測試儀晶體管圖示儀二三極管測試儀 WQ4832

晶體管圖示儀 WQ4832

集電極掃描信號輸出電壓范圍及電流容量 0～5V 10A 0～10V 5A 0～50V 1A 0～100V 0.5A 0～500V 0.1A 0～5000V 5mA 0～500VAC 0.1A 功耗限制電阻：0～500kΩ　分11檔基極階梯信號階梯電流 0.5μA/級～100mA/級，分17檔階梯電壓 0.05V級～1V/級，分5檔 Y軸偏轉系數集電極電流 0.5μA/div～1A/div，分20檔二極管電流 50nA/div～1μA/div，分5檔 X軸偏轉系數集電極電壓 10mV/div～50V/div，分12檔一般性能適應電源 AC220V±10% 50Hz±4% 視在功率約50VA（非測試狀態）約80VA最大功率外形尺寸 320×210×400mm 重量 18kg

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TEK370A 晶體管測試儀/現貨

主要參數：·半導體器件高精度測量

-上限達2000V或電流到10A的源（370A）

-上限到3000V（371A）

-上限到220W（370A）

-上限到400A（371A）

-1nA的測量分辨率

-上限到3000W（371A）

·上限到2mV的測量分辨率（370A）

·波形對比

·包絡顯示

·波形平均

·點光標（370A）

·Kelvin傳感測量

·全程控

·MS-DOS兼容的軟盤，方便設置參孝存儲和調用

附:

公司優勢：品種齊全、貨源充足、庫存雄厚、服務快捷、維修能力強

　 1、本公司有大量二手／全新儀器庫存，并長期出售頻譜分析儀，音頻分析儀，網絡分析儀，電視

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