1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測溫范圍、允差
2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優良的穩定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |