一、概述 DDS228單相電子式電能表(下稱電能表)采用美國ADI 公司的單相電能計量芯片ADE7755和的SMT及波峰焊接工藝,根據用戶實際用電狀況所設計、制造的新型電能表。本電能表符合GB/T17215.321-2008《1級和2級靜止式交流有功電能表》及IEC1036-1996國際標準的全部技術要求。具有良好的抗電磁干擾、低自耗節電、高精度、防竊電、高過載、長壽命的特點。 二、規格和主要技術參數 1、型號規格
2、基本誤差限
注:Ib標定電流,Imax最大電流。 3、起動 在參比電壓,參比頻率及COSφ=1.0的條件下,負載電流為0.004Ib(1級)電能表應能連續計量電量。 4、潛動 電壓回路加額定電壓的115%,電流線路中無電流時,在規定時間內儀表的測試輸出不應產生多于一個的脈沖。 5、電壓范圍 正常工作電壓:0.9Un-1.15Un 極限工作電壓:0.75-1.2Un 6、功耗 電壓線路功耗:≦1W和4VA 電流線路功耗:≦1VA 4.7氣侯條件 正常工作溫度: -35℃~+60℃ 極限工作溫度: -40℃~+70℃ 存貯和運輸溫度:-25℃~+70℃ |
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HI98129多參數筆式pH/EC/TDS測定儀
概述
HI98129是一款集PH,EC/TDS和溫度測量為一體的多功能高精度測試筆!一款儀器即可滿足不同量程多種測量需求。防水設計,大屏易讀數據顯示,雙行字幕LCD,自動關機功能。PH和EC/TDS讀數為自動溫度補償(ATC)。高科技測試儀配有電極拆卸工具,獨特的透析膜設計可避免鹽和其它物質對電極的污染,延長儀器的使用壽命。可更換式電極設計,即使PH電極損壞,您也無需將儀器更換掉。EC/TDS轉換系數和溫度補償系數(?)都可在設定范圍內選擇。快速、、精確、便攜式的測試筆集PH,EC/TDS和溫度測量為一體,可以滿足您的測量需要!
技術指標
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標準配置
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選購附件
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1)輕巧袖珍——重僅32克。2)測量范圍廣——量程0~1999PPM。3)應用溫度廣——在0~50度工作,可在零下30度儲藏。4)電池壽命長——采用CR1620 3V電池2片,可用2年以上。5)設計合理——筆端電極可直接插入飲水瓶口中測量,筆套還可以作為被測液容器,使用極為方便。6)測量快速——由于精巧裸式的傳感元件,15秒可完成一次測量。7)清洗方便——電極保護套可拔下,用于探針和護套的清洗。8)自動溫度補償——可自動將示值換算成25度時的示值。9)液晶屏幕大——比同類產品大一倍以上,示值清晰。規格:16*26*129(mm)重量:32g
項目 | 傳感器 | 顯示方法 | 測定范圍 | 精度・內容 |
預熱溫度 | CA熱電偶 | LCD數顯 | 50'~30'0'℃ | ±2℃ |
錫槽溫度 | CA特氟龍熱電偶 | LCD數顯 | 0'~30'0'℃ | ±2℃ |
過錫時間 | 電極 | LCD數顯 | 0'~10'.0'秒 | ±2秒 |
電源 | 單4電池2支 (選項也可以配鋰充電電池) |
DDS-320型電導率儀適用于精密測量各種液體介質的電導率儀,當配以0.1、0.01規格常數的電導電極時,可以精確測量高純水電導率。儀器廣泛適用于各領域的科研和生產。儀器特別設計的基本測量、溫補測量兩種方式,使標準測量和溫補測量誤差最小。儀器有溫度測量和溫度自動補償功能,使電導率測量變得極為方便和精確。
技術參數
測量范圍:COND:0~2×105μS
TENP:-30~120℃
度:0.5%
溫度補償范圍:15~35℃
穩定性:0.1%
記錄輸出:0~20mV
電源:AC:220V±10% 50/60Hz
外形尺寸:280×180×100mm
重量:1.5kg
一、HMDS 預處理系統的必要性:
在半導體生產工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節,涂膠質量直接影響到光刻的質量,涂膠工藝顯得更為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑HMDS可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后,經烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變為疏水,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯劑的作用。
二、產品特點:
1)設備外殼采用316L不銹鋼材質制作,內膽為不銹鋼316L材料制成;采用C型不銹鋼加熱管,均勻分布在內膽外壁,內膽內無任何電氣配件及易燃易爆裝置;采用鋼化、防彈雙層玻璃觀察窗,便于觀察工作室內物品實驗情況。
2)箱門閉合松緊能調節,整體成型的硅橡膠門封圈,確保箱內保持高真空度。
3) 采用微電腦PID控制,系統具有自動控溫,定時,超溫報警等,采用LCD液晶顯示,觸摸式按鈕,簡單易用,性能穩定.
4)智能化觸摸屏控制系統配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據不同制程條件改變程序、溫度、真空度及每一程序時間。
5)HMDS氣體密閉式自動吸取添加設計,使真空箱密封性能極好,確保HMDS氣體無外漏顧慮。
6)整個系統采用優質醫用級316L不銹鋼材料制作,無發塵材料,適用百級光刻間凈化環境。
三、產品型號及參數:
型號:PVD-090-HMDS
容積:90L
控溫范圍:R.T.+10~250℃
溫度分辨率:0.1℃
控溫精度:±0.5℃
隔板數量:2PCS
真空度:<133Pa
真空泵:DM4(外置連接)
電源:AC220/50HZ
額定功率:3.0KW
內膽尺寸mm:450x450x450 (W*D*H)
外形尺寸mm:650x640x910 (W*D*H)
木箱包裝mm: 840x750x1100(W*D*H)
連接管:316不銹鋼波紋管,將真空泵與真空箱完全密封無縫連接
四、PVD-090-HMDS系列預處理系統的原理:
PVD-090-HMDS預處理系統通過對烘箱HMDS預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。
五、PVD-090-HMDS系列預處理系統的一般工作流程:
首先確定烘箱工作溫度。典型的預處理程序為:打開真空泵抽真空,待腔內真空度達到某一高真空度后,開始充入氮氣,充到某低真空度后,再次進行抽真空、充入氮氣的過程,到達設定的充入氮氣次數后,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入HMDS氣體,在到達設定時間后,停止充入HMDS藥液,進入保持階段,使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后,再次開始抽真空。充入氮氣,完成整個作業過程。HMDS與硅片反應機理如圖:首先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應,在硅片表面生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續到空間位阻阻止其進一步反應。
六、尾氣排放:
多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理。
七、產品操作控制系統平臺配置:
1.采用DM4直聯旋片式真空泵
2.采用AISET溫控器控制溫度,日本三菱可編程觸摸屏操作模塊.
3.固態繼電器
其它選配:
1)加急停裝置(標配已含)
2)波紋管2米(標配含1米)
3)富士溫控儀表(溫度與PLC聯動)
4)三色燈
5)增加HMDS液體瓶
6)下箱柜子(304不銹鋼)
7)壓力記錄儀(帶曲線)
8)溫度記錄儀(帶曲線)
備注:選配壓力記錄儀、溫度記錄儀時,因工藝需要改變設備整個外箱結構,請參考實物圖。外殼采用SS41粉末靜電噴涂,內膽采用316L不銹鋼,外箱尺寸為(W*D*H)mm:980x655x1600(含下箱柜高700),下箱柜空置。