光學平臺產品及廠家
日本jeol能譜儀jed-2300/2300f analysis station是以“圖像觀察和分析“ 為基本理念的tem/eds集成系統(tǒng)。通過與sem的馬達驅動樣品臺聯(lián)動使用，可以進行大范圍的觀察和分析。 eds通過檢測被電子束激發(fā)出的樣品特征x射線，確定樣品含有的元素及成分比，可以進行微區(qū)的點分析、線分析及面分析。
更新時間:2025-05-06
日本jeol掃描電子顯微鏡 jsm-it500，是jeol intouchscope系列的新機型。 從設定視野到生成報告，用于分析的軟件整合于一體，加快了作業(yè)速度！是一款無縫操作，使用更加方便的掃描電子顯微鏡。
更新時間:2025-05-06
日本jeol 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f，jsm-7200f的電子光學系統(tǒng)應用了日本電子旗艦機-jsm-7800f prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術，標配了ttls系統(tǒng)（through-the-lens system），因此無論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統(tǒng)機型有了很大的提升。
更新時間:2025-05-06
新一代超高精度電子束光刻機 p21，樣品尺寸覆蓋 2/4/6 英寸晶圓，超高寫場拼接精度，電子束閉環(huán)控制系統(tǒng)，束流的時間及空間穩(wěn)定性高，高性能 30 kv 電子束光刻機。
更新時間:2025-05-06
德國iplas mpcvd cyrannus® 利技術微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)，廣泛應用于第四代半導體，射頻器件，散熱器件，光學窗口等高科技令域，晶圓生長金剛石膜，被譽為半導體終材料。
更新時間:2025-05-06
德國yxlon多用途高分辨率ct系統(tǒng)ff35 ct,微焦點、納米焦點雙射線 源配置，大限度提高多 功能性 • 單或雙射線源配置，可大限度提高 ct 應用 多功能性
更新時間:2025-05-06
英國nanobean nb5 電子束光刻機,具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運行時間超過93%.
更新時間:2025-05-06
minilock-phantom iii 具有預真空室的反應離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產環(huán)境提供最先進的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時間:2025-05-06
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應室構成。這些工藝反應室與中央負載鎖對接，既能夠以生產模式運行，也能夠作為單個系統(tǒng)獨立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實驗室環(huán)境進行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
更新時間:2025-05-06
titan是一套用于半導體生產的十分緊湊、全自動化、帶預真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強型化學汽相沉積(pecvd)配置。可對單個基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2025-05-06
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺上生產高品質的薄膜。獨特的反應器設計可以在在極低的功率生產具有優(yōu)異臺階覆蓋的低應力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實驗室和中試生產環(huán)境中的所有安全，設施和工藝標準要求。
更新時間:2025-05-06
orion hdcvd 高密度氣相化學沉積系統(tǒng)采用高密度的化學氣相沉積技術，在惰性氣體進入口安裝感應線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當惰性氣體與揮發(fā)性物質結合時，會發(fā)生化學反應，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時間:2025-05-06
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結構（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應用于納米器件，光子晶體，低維半導體等沿域。
更新時間:2025-05-06
俄羅斯 optosystem 準分子激光器：cl7000, 準分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應用上，準分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫，lasik，光刻，微納加工等方面占主導的地位。
更新時間:2025-05-06
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺,提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時間:2025-05-06
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導量子實驗室均使用該設備制備超導al結（量子比特和約瑟夫森結）和量子器件，可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復性超導結。
更新時間:2025-05-06
美arradiance 臺式三維原子沉積系統(tǒng)ald，在小巧的機身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結合前驅體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設計，使溫度均勻性高達99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03%以下。
更新時間:2025-05-06
德國 sentech pe-ald 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)，是在3d結構上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入置物實現(xiàn)。等離子增強原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ald性能的先進方法。
更新時間:2025-05-06
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質膜的低壓沉積。
更新時間:2025-05-06
德國sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機,。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電，可選配低頻混頻，全控無油真空系統(tǒng)采用先進的森泰克控制軟件，采用遠程現(xiàn)場總線技術，具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時間:2025-05-06
pecvd depolab 200 等離子體沉積機,將平行板等離子體源設計與直接負載相結合,可以升為更大的抽油機、低頻電源和額外的燃氣管道。
更新時間:2025-05-06
sentech etchlab200 經濟型反應離子刻蝕機(可升級)，包括抽速更大的真空單元、預真空室及附加氣路等。
更新時間:2025-05-06
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機是一種將rie平行板電設計的優(yōu)點與直接負載的低成本設計相結合的直接負載等離子體蝕刻機系列。etchlab 200具有簡單快速的樣品加載功能，從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時間:2025-05-06
entech rie si591 平板電容式反應離子刻蝕機，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時間:2025-05-06
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產上的先優(yōu)勢。它以ptsa等離子體源、動態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進的sentech 控制軟件為基礎，采用遠程現(xiàn)場總線技術，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設計特點。
更新時間:2025-05-06
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結構刻蝕，高速率刻蝕，內置icp等離子源，動態(tài)溫控。
更新時間:2025-05-06
ure-2000系列紫外單面光刻機，主要型號有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學院制造生產。
更新時間:2025-05-06
ure-2000/35 型紫外單面光刻機，中科院設計生產，曝光面積：4 英寸 ，非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新時間:2025-05-06
芬蘭 picosun r-200標準型ald,為液體、氣體和固體化學物提供的更高級的，易更換的前驅源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個獨立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅源。
更新時間:2025-05-06
德國 picosun p-1000 pro ald 生產型原子層沉積機,156 mm x 156 mm硅片800～1000片/批次（雙面/背對背）,高達400 mm x 600 mm玻璃基板30～50片/批次（雙面/背對背）,(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,標準設備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-05-06
picosun p-300 advanced ald 高級型原子層沉積機.156 mm x 156 mm硅片50～100片/批次（雙面/背對背），高達300 mm x 300 mm玻璃基板10～20片/批次（雙面/背對背）；roll-to-roll, 襯底最大寬 300 mm。全自動轉載，用工業(yè)機器人實現(xiàn),標準設備驗收標準為 al2o3 工藝 .
更新時間:2025-05-06
picosun p-300b advanced ald 高級原子沉積機,基片尺寸和類型 300mm晶圓10片/批次（標準間距）,200mm晶圓25+2片/批次（標準間距）,(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,標準設備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-05-06
p-300s 生產線型原子層沉積機,最大300mm晶圓/單片,25片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™ 300集群系統(tǒng)實現(xiàn),尺寸：(w x h x d) 160 cm x 80 cm x 240 cm
更新時間:2025-05-06
p-300f,p-300bv 生產型原子層沉積機，p-300f pro: 27片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™200集群系統(tǒng)實現(xiàn)。p-300bv pro: 52片晶圓盒對盒式全自動裝載，用真空批量load lock實現(xiàn)。
更新時間:2025-05-06
picosun p-200s pro ald 生產型原子層沉積機 ，襯底尺寸和類型： 。50 – 200 mm /單片 。156 mm x 156 mm 太陽能硅片 。150 mm x 150 mm 顯示面板
更新時間:2025-05-06
芬蘭picosun™ r-200高級型 ald，襯底尺寸和類型 ： 。50-200 mm /單片 。156 mm x 156 mm太陽能硅片 。3d復雜表面襯底 。粉末與顆粒 。roll-to-roll , 襯底最大寬 70 mm 。多孔，通孔，高深寬比（har）樣品
更新時間:2025-05-06
picosun™ r-200標準型原子層沉積機，picosun™ r系列設備提供高質量ald薄膜的沉積技術，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)極佳的均勻性，包括最具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。 我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學物提供的更高級的，易更換的前驅源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。
更新時間:2025-05-06
plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機,是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高質量的工藝。
更新時間:2025-05-06
plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機,是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高質量的工藝。
更新時間:2025-05-06
plasmapro 80 icpcvd 牛津icp等離子沉積機，是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和小批量生產的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高性能工藝。
更新時間:2025-05-06
牛津oxford system 100 等離子刻蝕與沉積設備,該設備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設備,具有工藝靈活性，適用于化合物半導體，光電子學，光子學，微機電系統(tǒng)和微流體技術.
更新時間:2025-05-06
plasmapro 80 icp 英國牛津oxford 等離子體刻蝕機,是一種結構緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質量。直開式設計允許快速的進行晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和少量生產的理想選擇。 該設備通過優(yōu)化了的電冷卻技術和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高度穩(wěn)定的工藝結果。
更新時間:2025-05-06
牛津opal開放式樣品載入ald設備，緊湊型開放式樣品載入原子層沉積（ald）系統(tǒng)，opal提供了業(yè)的熱ald設備，可以簡單明了的升使用等離子體，使得在同一緊湊設備中集成了等離子體和熱ald。
更新時間:2025-05-06
已獲得利的高速襯底架（高達1000rpm）設計，并配備了白光光學監(jiān)視器（wlom）——更為準確的實時光學薄膜控制
更新時間:2025-05-06
plasmapro 100 estrelas牛津深硅刻蝕系統(tǒng)，旨在提供深硅蝕刻（dsie）域的全方位的靈活性以滿足微電子機械系統(tǒng)（mems）、 先進封裝以及納米技術市場的各種工藝要求。考慮到研究和生產的市場發(fā)展，plasmapro 100 estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。
更新時間:2025-05-06
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