燃燒爐產(chǎn)品及廠家
電弧燃燒爐中常用的添加劑有純錫粒和硅鉬粉硅鉬粉,錫粒,純鐵助熔劑儀器試劑錫粒,純鐵,硅鉬粉的用途電弧燃燒爐是我國鋼鐵行業(yè)在高速分析中使用普遍和實用的一種燃燒爐，因其操作簡單，節(jié)約能源耗材，穩(wěn)定耐用，價
更新時間:2025-09-01
1100℃高壓爐otf-1200x-hp-55是開啟式高溫高壓管式爐，爐管采用 ss310s鎳基合金鋼制作而成，最高壓力高達20mpa，最高溫度可達1100℃，并可通入多種氧化或惰性保護氣體，是用于高壓制備新材料，以及作為小型熱等靜壓處理合金樣品的理想設(shè)備。
更新時間:2025-08-30
800℃雙溫區(qū)高壓爐otf-1200x-ii-hvhp-80是高溫高壓管式爐，爐管采用 ss310s鎳基合金鋼制作而成，兩端配有法蘭和閥門，專為在105 psi高壓下使用，可在通入氧化或惰性氣體的氣氛下，處理特殊的化合物。本機采用pid方式進行控
更新時間:2025-08-30
800℃高壓爐otf-1200x-hvhp-80是高溫高壓管式爐，爐管采用 ss310s鎳基合金鋼制作而成，兩端配有法蘭和閥門，專為在105 psi高壓下使用，可在通入氧化或惰性氣體的氣氛下，處理特殊的化合物。
更新時間:2025-08-30
生長納米線cvd爐otf-1200x-4-nw是一種緊湊型cvd爐，專為生長各種納米線而設(shè)計，基片最大3″。在法蘭的左側(cè)裝有一個小加熱器，可對輸入的氣體、液體、固體進行預(yù)加熱后進入 cvd 爐進行納米線的生長。其可滑動的樣品架使操作更為簡單。
更新時間:2025-08-30
200℃雙管三溫區(qū)管式爐（石墨烯生長）otf-1200x-iii-d5-4最高工作溫度可以達到1200℃，專門針對于用cvd方法在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、太陽能電池的電極材料和其他電池電極材料等。
更新時間:2025-08-30
400℃小型管式爐gsl-1400x是小型高溫管式爐，采用高純氧化鋁剛玉爐管和硅碳棒加熱元件，設(shè)有兩個真密封法蘭，控制系統(tǒng)采用高精度可控硅移相觸發(fā)控制，其控溫精度為±1℃，可設(shè)置30段升降溫程序，最高溫度可達1400℃。
更新時間:2025-08-30
1600℃雙溫區(qū)高溫真空管式爐gsl-1600x-ⅱ每個加熱區(qū)域長300mm，由30段智能溫度調(diào)節(jié)儀進行控溫，采用硅鉬棒加熱元件溫度可達1600℃，采用硅碳棒加熱元件溫度可達1400℃，通過調(diào)節(jié)兩個溫區(qū)的控溫程序使?fàn)t管內(nèi)溫度場形成一溫度梯度。本機可用于cvd或pvd方法來生長納米材料和制作各種薄膜。控溫儀表操作視頻
更新時間:2025-08-30
1500℃真空立式淬火爐otf-1500x-80-vtq一款是立式可開啟真空管式淬火爐，配有一個密封的液體容器用于樣品淬火，樣品可從最高溫度1500℃環(huán)境中快速落入冰水或冷油中，可用于研究材料相轉(zhuǎn)變和微結(jié)構(gòu)性能。
更新時間:2025-08-30
1200℃五溫區(qū)開啟式管式爐otf-1200x-v每個溫區(qū)分別由獨立的溫控系統(tǒng)控制，通過調(diào)節(jié)各個溫區(qū)的溫度，可以在加熱區(qū)內(nèi)形成四段溫度梯度，或形成較長的恒溫區(qū)域。本機用于高等院校、科研院所、工礦企業(yè)等實驗或小批量生產(chǎn)，主要針對電子陶瓷的預(yù)燒、燒結(jié)、鍍膜、高溫?zé)峤獾蜏爻练e（cvd）等工藝。具有控溫精度高，保溫效果好，溫度范圍大，溫度均勻性高，溫區(qū)多，可通氣氛抽真空及安全可靠、操作簡單等特點。
更新時間:2025-08-30
1200℃三溫區(qū)開啟式管式爐otf-1200x-ⅲ每個溫區(qū)分別由獨立的溫控系統(tǒng)控制，具有控溫精度高，保溫效果好，溫度范圍大，溫度均勻性高，溫區(qū)多等特點。本機可通氣氛抽真空，操作簡單，安全可靠。
更新時間:2025-08-30
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