光學平臺產品及廠家
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時間:2025-09-08
30型uv光源是高效的，可用于各種應用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上，以在曝光平面產生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸，最大24英寸平方，輸出光譜范圍從220 nm到450 nm，使用適當的燈（包括）。輸出功率范圍從200瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過濾器組件，使用戶能夠輕松定制輸出光譜。可選配遠程排氣風扇。
更新時間:2025-09-08
oai 200型光刻機是一種具有成本效益的高性能掩模對準器，采用經過行業驗證的組件，使oai成為光刻設備行業的導者。 200型是臺式面罩對準器，需要小的潔凈室空間。它為研發，或有限規模，試點生產提供了經濟的替代方案。利用創新的空氣軸承/真空吸盤調平系統，襯底快速平穩地平整，用于平行光掩模對準和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統能夠實現一微米分辨率和對準精度。
更新時間:2025-09-08
2012sm型自動邊緣曝光系統為使用標準陰影掩模技術的邊緣珠去除提供了一種經濟高效的方法。 設計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現，從而增加該生產工具的通用性和高產量。
更新時間:2025-09-08
2012sm型自動邊緣曝光系統為使用標準陰影掩模技術的邊緣珠去除提供了一種經濟高效的方法。 設計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現，從而增加該生產工具的通用性和高產量。
更新時間:2025-09-08
兩種型號的2000型曝光系統包括uv光源，強度控制電源和機器人襯底處理子系統。 uv光源提供發散半角<2.0％的可調強度光束。電源從200w到2,000w。強度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強度監控。機器人襯底處理系統是微處理器控制的，并且可以被編程以適應各種各樣的襯底尺寸。
更新時間:2025-09-08
oai 5000e型大面積掩光刻機是一種先進的高性能，全自動掩模對準器和曝光工具，可為大型平板應用提供超精密，頂，亞微米對準和分辨率。 其靈活的設計允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達300mm或20“×20”。 曝光系統兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計算機控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環境中觀察。
更新時間:2025-09-08
phabler 100 紫外光刻機是一套低成本的光學曝光系統，但卻能獲得高分辨率的周期性結構。同傳統的紫外曝光機類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結果非常均勻，質量很好。
更新時間:2025-09-08
raith 150 two可實現亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環境屏蔽罩保證了系統的熱穩定性，提高設備對實驗室環境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環境下，也能保證系統的正常穩定運行。
更新時間:2025-09-08
raith 150 two可實現亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環境屏蔽罩保證了系統的熱穩定性，提高設備對實驗室環境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環境下，也能保證系統的正常穩定運行。
更新時間:2025-09-08
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機,系統可實現8英寸樣品的高速曝光。系統的穩定性是非常關鍵的指標，可保證大面積均勻曝光。該系統外部采用環境屏蔽罩，即使在稍差的實驗室環境下，仍然能確保系統具有非常好的熱穩定性，提高系統對外界環境的容忍度。
更新時間:2025-09-08
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設計，對電子束直寫應用進行了優化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時間:2025-09-08
系統中集成了高精度的激光干涉工作臺，運動行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實現精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時間:2025-09-08
日本jeol熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發揮其佳性能。
更新時間:2025-09-08
日本jeol熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發揮其佳性能。
更新時間:2025-09-08
日本jeol能譜儀jed-2300/2300f analysis station是以“圖像觀察和分析“ 為基本理念的tem/eds集成系統。通過與sem的馬達驅動樣品臺聯動使用，可以進行大范圍的觀察和分析。 eds通過檢測被電子束激發出的樣品特征x射線，確定樣品含有的元素及成分比，可以進行微區的點分析、線分析及面分析。
更新時間:2025-09-08
日本jeol掃描電子顯微鏡 jsm-it500，是jeol intouchscope系列的新機型。 從設定視野到生成報告，用于分析的軟件整合于一體，加快了作業速度！是一款無縫操作，使用更加方便的掃描電子顯微鏡。
更新時間:2025-09-08
日本jeol 熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f，jsm-7200f的電子光學系統應用了日本電子旗艦機-jsm-7800f prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術，標配了ttls系統（through-the-lens system），因此無論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統機型有了很大的提升。
更新時間:2025-09-08
新一代超高精度電子束光刻機 p21，樣品尺寸覆蓋 2/4/6 英寸晶圓，超高寫場拼接精度，電子束閉環控制系統，束流的時間及空間穩定性高，高性能 30 kv 電子束光刻機。
更新時間:2025-09-08
opticool超精準全開放強磁場低溫光學研究平臺，系統擁有3.8英寸超大樣品腔、雙錐型劈裂磁體，可在超大空間為您提供高達±7t的磁場。多達7個側面窗口、1個頂部超大窗口方便光線由各個方向引入樣品腔，高度集成式的設計讓您的樣品在擁有低溫磁場的同時擺脫大型低溫系統的各種束縛。
更新時間:2025-09-08
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡，采用模塊化的設計。利用標配的控制器和樣品掃描臺，用戶僅需要更換掃描頭和對應的光學部件即可實現不同功能之間的切換。
更新時間:2025-09-08
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場發射掃描電鏡，可選擇多種鍍膜材料，精確的膜厚控制，樣品臺控制靈活，多個樣品座，樣品室幾何可變，寬范圍的操作壓力，緊湊、現代的桌上型設計，操作容易。
更新時間:2025-09-08
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統，該系統同時使用8只換能器，能最大限度的確保快速圖像采集和高效能。
更新時間:2025-09-08
100s接觸角測量儀是采用光學成像的原理，通過圖像輪廓分析方式測量樣品表面接觸角、潤濕性能、表界面張力、表面能等性能，設備性價比高、功能全面、可滿足各種常規測量需要。
更新時間:2025-09-08
德國kruss標準型dsa25接觸角測量儀，接觸角測量范圍：0-180，接觸角測量精度：±0.10，表界面張力測量范圍：0-1000mn/m；測量精度：0.01 mn/m
更新時間:2025-09-08
ure-2000 系列紫外單面光刻機此系列包含六種型號：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時間:2025-09-08
日本rion氣體粒子計數器：kc-32 ( 光散射法）測試粒徑（6個通道）：≥0.3μm， ≥0.5μm ， ≥1μm ， ≥2μm， ≥5μm, ≥10μm
更新時間:2025-09-08
日本rion氣體粒子計數器：kc-20a ( 光散射法）,測試粒徑（5個通道）：≥10μm， ≥20μm ， ≥30μm ， ≥50μm， ≥100μm
更新時間:2025-09-08
日本rio液體粒子計數器ke-18fx ( 光散射法）,測試粒徑（4個通道）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm，
更新時間:2025-09-08
日本rion液體光學顆粒度儀 ks-42d ( 光散射法），大粒子數濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（8個通道，出廠默認）：≥2μm， ≥3μm ， ≥5μm ， ≥7μm, ≥10μm， ≥25μm ， ≥50μm ， ≥100μm(可選 ≥150μm）
更新時間:2025-09-08
日本rion粒子計數器：kl-30ax ( 光散射法）,大粒子數濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個通道，工廠標配）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm
更新時間:2025-09-08
日本rion氣體粒子計數器：kl-30a ( 光散射法）, 測純水，可打印。大粒子數濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個通道，出廠設置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時間:2025-09-08
日本rion氣體粒子計數器：kl-30b ( 光散射法）, 測純水，可打印。大粒子數濃度：200 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（4個通道，出廠設置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時間:2025-09-08
日本rion 手持式粒子計數器：kc-51( 光散射方式）,大粒子數濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時間:2025-09-08
日本rion 手持式粒子計數器：kc-52( 光散射方式）,粒徑范圍：5個通道： 0.3μm ， 0.5μm , 1.0μm , 2.0μm, 5.0μm, 大粒子數濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時間:2025-09-08
日本rion氣體粒子計數器：ka-02( 光散射方式）,多點監視用粒子計數器，測試粒徑（2個通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm，大粒子數濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2025-09-08
日本rion氣體粒子計數器：ka-03( 光散射方式）,多點監視用粒子計數器，測試粒徑（5個通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm ，≥1μm ， ≥2μm ，≥5μm ，大粒子數濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2025-09-08
日本rion氣體粒子計數器：ka-82( 光散射方式）,多點監視用粒子計數器，測試粒徑（5個通道）：≥0.1μm ， ≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm ，大粒子數濃度：10 000顆/l （誤差值低于5%）
更新時間:2025-09-08
玻璃去油墨設備,采用訂制紫外納激光器對玻璃表面進行去油墨以及油墨微加工， 將產品損傷降至低。
更新時間:2025-09-08
oai 800型光學正面和背面光刻機系統, 是半自動,four-camera、光學正面和背面光刻機。它提供其精確的(1碌m - 2 m碌)對準精度,旨在大大超過任何紅外背后對準器性能的一個非常有競爭力的價格。通用模型800光刻機是理想的用于低產量、研發實驗室和大學。
更新時間:2025-09-08
瑞士nanofrazor 3d納米結構高速直寫機，源于發明stm和afm的ibm蘇黎世研發中心，是其在納米加工技術的新研究成果。nanofrazor納米3d結構直寫機第 一次將納米尺度下的3d結構直寫工藝快速化、穩定化。
更新時間:2025-09-08
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